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CVD直接生長(zhǎng)技術(shù)高效碳納米管鎳氫電池的研究

采用熱化學(xué)氣相沉積技術(shù)(CVD)，在泡沫鎳表面直接生長(zhǎng)多壁碳納米管(MWNT)，以此MWNT-泡沫鎳基底為電池集流體，并使用該基底、通過(guò)干粉末滾壓工藝制備鎳氫電池電極，對(duì)電池進(jìn)行了一系列的充放電性能測(cè)試。

MPCVD法合成單晶金剛石的研究及應(yīng)用進(jìn)展

本文簡(jiǎn)介近年來(lái)MPCVD技術(shù)合成單晶金剛石的研究進(jìn)展，評(píng)述了在該研究領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位的英美日等國(guó)有關(guān)公司及研究機(jī)構(gòu)所取得的成果，并對(duì)單晶金剛石的應(yīng)用前景作出了展望。

TC4表面激光滲氮研究

以TC4合金為基材，利用連續(xù)激光器對(duì)表面激光滲氮，生成了金黃色的氮化層。用SEM，EDS，XRD 對(duì)試樣滲氮層的微觀組織結(jié)構(gòu)、元素分布以及物質(zhì)組成進(jìn)行了分析，結(jié)果表明生成了氮化鈦的缺位式固溶體。

真空保鮮技術(shù)正式應(yīng)用于中國(guó)家庭帶來(lái)健康生活

真空保鮮冷凍保鮮時(shí)間比傳統(tǒng)保鮮方式延長(zhǎng)3-5倍，能更好的密閉容器，隔離外界空氣，更高效抑制細(xì)菌和微生物滋生，保留住更多營(yíng)養(yǎng)和新鮮。

高溫真空釬焊爐鉬屏開(kāi)裂原因分析

在高溫真空釬焊爐中對(duì)汽車用三元催化凈化器金屬蜂窩載體進(jìn)行真空釬焊，設(shè)備使用較短時(shí)間內(nèi)，爐膽鉬屏出現(xiàn)變形、開(kāi)裂失效現(xiàn)象。對(duì)開(kāi)裂的高溫真空釬焊爐鉬屏進(jìn)行了使用前后的形貌對(duì)比及化學(xué)成分分析。

固體潤(rùn)滑軸承用9Cr18不銹鋼離子注入與磁控濺射改性真空摩擦學(xué)研究

為了提高空間固體潤(rùn)滑滾動(dòng)軸承耐磨壽命，采用全方位離子注入和磁控濺射技術(shù)對(duì)空間固體潤(rùn)滑軸承用9Cr18材料進(jìn)行耐磨減摩表面改性研究。

兩種不同鐵芯結(jié)構(gòu)縱磁真空滅弧室觸頭三維磁場(chǎng)對(duì)比分析

本文采用有限元分析軟件對(duì)兩種不同鐵芯結(jié)構(gòu)的縱磁杯狀真空滅弧室觸頭三維模型進(jìn)行仿真，分析了瞬態(tài)情況下動(dòng)、靜觸頭表面和觸頭開(kāi)距中心平面的縱向磁場(chǎng)分布情況以及磁場(chǎng)滯后時(shí)間。

真空法從銦礦中制備銦的機(jī)理研究

在真空條件下，本文采用熱力學(xué)分析方法計(jì)算真空下銦礦碳熱還原反應(yīng)過(guò)程中發(fā)生的反應(yīng)的吉布斯自由能以及起始反應(yīng)溫度。

低溫多效海水淡化用蒸汽噴射器的優(yōu)化設(shè)計(jì)

提高蒸汽噴射器性能，能夠降低低溫多效海水淡化系統(tǒng)能耗，采用理論推導(dǎo)和數(shù)值模擬相結(jié)合的方法對(duì)噴射器性能進(jìn)行研究。在噴射器索科洛夫設(shè)計(jì)方法的基礎(chǔ)上，修正了噴射器最大可達(dá)噴射系數(shù)的計(jì)算模型。

分子相互作用體積模型在錫銻合金真空蒸餾深度脫銻中的應(yīng)用

本研究利用MIVM 計(jì)算了錫銻合金組元的活度系數(shù)，理論上預(yù)測(cè)了錫銻合金真空蒸餾深度脫銻的可行性，并結(jié)合驗(yàn)證試驗(yàn)進(jìn)行了深入研究。

偏壓對(duì)磁控濺射制備Ni摻雜TiB2基涂層結(jié)構(gòu)及力學(xué)性能的影響

本文采用中頻和射頻電源的雙靶磁控濺射設(shè)備通過(guò)改變基片偏壓制備了不同偏壓的TiB2-Ni涂層。對(duì)所制備的涂層進(jìn)行了結(jié)構(gòu)和性能的研究，探討了偏壓對(duì)其生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)，以及硬度、斷裂韌性、膜基結(jié)合力和摩擦學(xué)等方面的性能。

工作氣壓對(duì)多脈沖鞘層動(dòng)力學(xué)行為的影響

電子束快速成型機(jī)聚焦及偏掃系統(tǒng)的工程實(shí)現(xiàn)

闡述了電子束快速成型機(jī)聚焦及偏掃系統(tǒng)在工程上所遇到的幾個(gè)問(wèn)題及解決方法。本文介紹電子束快速成型機(jī)聚焦及偏掃系統(tǒng)幾個(gè)工程問(wèn)題的解決方法。

電弧離子鍍沉積TiCx薄膜的結(jié)構(gòu)和性能研究

本文采用脈沖偏壓電弧離子鍍技術(shù)改變分離靶弧流獲得不同成分的TiCx薄膜，研究不同碳含量對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)和性能的影響。

電感耦合放電對(duì)雙頻容性耦合Ar-N2等離子體物理特性的影響

本文使用電感耦合增強(qiáng)的雙頻容性等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，采用不同頻率組合放電產(chǎn)生等離子體，探索產(chǎn)生高密度均勻等離子體的條件。

離子后氧化對(duì)42CrMo鋼滲氮組織與耐蝕性的影響及機(jī)理分析

采用普通空氣對(duì)42CrMo鋼離子滲氮樣進(jìn)行了離子后氧化處理，將離子后氧化與42CrMo鋼離子滲氮結(jié)合起來(lái)，研究離子后氧化溫度與時(shí)間對(duì)復(fù)合滲層組織及耐蝕性的影響，并從熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)角度對(duì)離子后氧化機(jī)理進(jìn)行了詳細(xì)探討

退火溫度對(duì)DLC膜熱穩(wěn)定性及摩擦學(xué)性能的影響

采用非平衡磁控濺射技術(shù)分別在氮化硅陶瓷球和高速工具鋼圓盤表面制備了類金剛石(DLC)膜，使用箱式電阻爐對(duì)DLC膜在大氣環(huán)境中進(jìn)行高溫退火處理以研究環(huán)境溫度對(duì)DLC膜摩擦學(xué)性能的影響。

丙烷濃度對(duì)45鋼離子碳氮共滲的影響

本研究選用丙烷作為供碳劑，研究了不同的丙烷濃度(從0.5%到2.5%)對(duì)45鋼離子碳氮共滲的影響，其目的是得到滲速最快且相組成最優(yōu)的最佳工藝。

ICP刻蝕4H-SiC柵槽工藝研究

為避免金屬掩膜易引起的微掩膜，本文采用SiO2作為掩膜，詳細(xì)研究了不同工藝參數(shù)包括ICP功率、RF偏壓功率、壓強(qiáng)、氧氣含量等對(duì)SiC槽柵區(qū)域的刻蝕速率、SiC與SiO2的刻蝕選擇比、刻蝕形貌的影響。

7A04鋁合金表面DLC薄膜制備及性能研究

本研究利用RF-PIII&D設(shè)備，在7A04鋁合金表面制備DLC薄膜。為提高膜基結(jié)合力，采用非平衡磁控濺射技術(shù)，在鋁合金表面和DLC薄膜之間沉積一層Si膜，作為過(guò)渡層。