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真空應(yīng)用

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推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。

多弧離子鍍與磁控濺射聯(lián)用鍍制TiN/SiO2復(fù)合裝飾薄膜的研究

本文結(jié)合多弧離子鍍和磁控濺射兩種鍍膜方法的優(yōu)點，制備了TiN/SiO2復(fù)合薄膜。通過掃描電鏡可以觀察到，制備的復(fù)合膜比單純的氮化鈦薄膜更加致密和光滑，基本消除了大顆粒的影響。
沉積時間對磁控濺射法制備寬禁帶半導(dǎo)體薄膜材料ZnS物性及光學(xué)性質(zhì)的影響

本文用磁控濺射法制備了ZnS薄膜，并對薄膜的物理性質(zhì)及光學(xué)性質(zhì)進行了細(xì)致的研究。為ZnS薄膜材料的進一步應(yīng)用，提供了實驗依據(jù)。
真空時效過程中常溫冷軋2024鋁合金微觀結(jié)構(gòu)演變

本文主要目的是采用適當(dāng)?shù)募庸すに�，�?024鋁合金獲得了良好的綜合機械性能。并利用TEM表征其微觀組織的演變規(guī)律。
真空脫氣裝置抽氣系統(tǒng)阻降過大分析研究

分析了造成真空脫氣裝置抽氣系統(tǒng)阻降過大的可能性原因，建立了適用于工程設(shè)計的計算模型，計算得出氣體冷卻器是造成阻降過大的主要原因，該文對未來真空脫氣設(shè)備工程應(yīng)用具有一定的指導(dǎo)意義。
基于二次優(yōu)化策略的約束環(huán)內(nèi)稀薄氣體粘度修正

本文從連續(xù)介質(zhì)N-S方程出發(fā)，面對約束環(huán)微通道內(nèi)的稀薄氣體流動特性，結(jié)合已有的一階滑移邊界模型和粘度修正模型擴展N-S方程，使其能夠求解約束環(huán)內(nèi)過渡流區(qū)的流動特性。
不同海拔高電腦機箱溫度場、流場計算分析

為了能夠準(zhǔn)確的計算分析不同海拔高度地區(qū)電腦機箱溫度場問題，對風(fēng)機的性能曲線變化進行了分析研究，為電腦等電器設(shè)備溫度場分析設(shè)計提供了理論依據(jù)。
La摻雜對SnO2薄膜光學(xué)特性影響的第一性原理及實驗研究

目前為止，對于第一性原理的研究大多數(shù)都集中在F、Sb、In、Fe上，對稀土摻雜SnO2報道較少，本文結(jié)合理論與實驗對La 摻雜SnO2薄膜的光學(xué)性能進行分析，并為以后研究提供相應(yīng)的參考依據(jù)。
YSZ/STO/YSZ-STO超晶格電解質(zhì)薄膜低溫電學(xué)特性

采用脈沖激光沉積法，在單側(cè)拋光的STO基底上制備YSZ/STO/YSZ超晶格薄膜。利用X射線衍射、掃描電鏡和射頻阻抗/材料分析儀對多層膜的物相結(jié)構(gòu)、表面形貌以及電學(xué)特性等進行表征。
等離子體增強原子層沉積Al2O3鈍化多晶黑硅的研究

本文使用金屬輔助化學(xué)法制備多晶黑硅，再經(jīng)低濃度堿溶液處理優(yōu)化黑硅結(jié)構(gòu)，最后用PEALD沉積了不同厚度的Al2O3鈍化層。采用掃描電鏡、分光光度計和少子壽命測試儀對黑硅的表面形貌、減反射特性和少子壽命變化進行了分
鉬緩沖層對鉬/銅疊層結(jié)構(gòu)電極特性的影響

本文采用難熔金屬Mo作為緩沖層來增加Cu在玻璃表面的附著性并阻擋Cu與非晶硅之間的擴散，得到了可以適用于大尺寸高分辨率平板顯示器的TFT陣列基板的疊層電極。
Cl2和SF6混合氣體對a-Si刻蝕反應(yīng)的研究

本文通過調(diào)整Cl2和SF6的用量，研究了a-Si 的刻蝕速率和均勻性的變化關(guān)系。
神光Ⅲ主機大動態(tài)范圍X射線掃描相機研制

本文介紹了專門為神光Ⅲ主機研制的大動態(tài)范圍X射線掃描相機。該相機采用了氣室結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了全部控制功能的遠程控制，在動態(tài)范圍和空間分辨上也有較大提升。
晶圓邊緣離子平均入射角度數(shù)值模擬研究

針對晶圓邊緣非垂直刻蝕剖面問題，對300mm雙頻容性耦合等離子體刻蝕機晶圓邊緣離子平均入射角度的分布特性進行了數(shù)值模擬研究。
不同相結(jié)構(gòu)Ti33Al67靶材磁控濺射薄膜對比研究

本文研究了一種成分相同，而相結(jié)構(gòu)完全不同的Ti33Al67靶材沉積薄膜的性能，從微觀角度探討了兩種靶材沉積薄膜性能產(chǎn)生差異的原因。
ZnO納米棒/CNTs復(fù)合陰極的制備及其場發(fā)射性能的研究

本文采用低成本和簡單的方式來實現(xiàn)ZnO納米棒和CNTs的復(fù)合，通過水熱法生成ZnO納米棒陣列，利用簡單的噴涂方法來獲得ZnO納米棒/CNTs復(fù)合陰極，該復(fù)合陰極有極優(yōu)的場發(fā)射性能。
CNTs/NbSe2/Cu基自潤滑復(fù)合材料的制備及其摩擦學(xué)性能研究

本文先制備了CNTs/NbSe2納米粉末復(fù)合材料，然后以Cu為基相，采用粉末冶金方法制備了CNTs/NbSe2/Cu基自潤滑復(fù)合材料。
能量過濾磁控濺射技術(shù)室溫制備ITO膜的光電特性及其應(yīng)用

本文利用該技術(shù)制備了TOLED器件的ITO陽極，研究了ITO薄膜的結(jié)構(gòu)、光學(xué)和電學(xué)性能，測試了TOLED的發(fā)光效率并與DMS 技術(shù)制備的器件作了對比。
調(diào)制周期對Ti-TiN-Zr-ZrN多層膜性能的影響

采用真空陰極電弧沉積技術(shù)，在TC11 鈦合金表面沉積同等厚度的三種不同調(diào)制周期Ti-TiN-Zr-ZrN 軟硬交替多層膜。
Ti-Al-Si-N涂層界面微結(jié)構(gòu)研究

采用多元等離子體浸沒離子注入與沉積裝置制備Ti-Al-Si-N涂層，借助X射線衍射儀、X射線光電子能譜、透射電子顯微鏡、納米探針和原子力顯微鏡等系統(tǒng)研究涂層界面微結(jié)構(gòu)與力學(xué)性能。
大批量微細(xì)刀具HFCVD涂層制備的溫度場仿真與試驗分析

本文以HFCVD沉積大批量微細(xì)刀具金剛石涂層系統(tǒng)為研究對象，利用有限容積法的仿真方法，對影響基體溫度場的多個工藝參數(shù)進行仿真與分析，并提出優(yōu)化設(shè)計的方案。