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真空鍍膜

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推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學法和物化法。

Kaufman低能寬束離子源的結構原理

Kaufman離子源是由陰極(Cathode)、陽極(Anode)、柵極(Grids)、放電室圓筒構成氣體放電室(Discharge Chamber),柵極構成離子光學系統(tǒng)。
磁控濺射法鍍制紅外低輻射膜的光熱性能

本文對薄膜的節(jié)能原理、制備方法、膜層結構及其光學、熱學性能進行了綜述, 較詳細地論述了目前低輻射薄膜研究中較為突出的金屬銀氧化和介質層增透的問題。
紅外低輻射膜的典型膜層結構

低輻射薄膜的中間金屬層起著反射紅外線的重要作用,一般選用銀,因它在對紅外光具有較高反射率的同時,對可見光還具有較高的透射率,按銀膜的數(shù)量可分為單銀膜、雙銀膜和多銀膜,每層銀膜厚度一般在10~18nm之間。
紅外低輻射薄膜的節(jié)能原理

膜層的電導率σ值越大, 它對入射光的反射率越大; 電磁輻射的頻率υ越小(或波長越大) , 膜材料的反射率越大。所以, 導電薄膜對波長較大的紅外線具有高反射性。
ZnO薄膜的器件應用

ZnO薄膜的主要應用有用作光伏電池的電極和窗口材料、在發(fā)光器件的應用、ZnO基紫外探測器、作為緩沖層/襯底、壓敏器件、氣敏傳感器、壓電器件。
ZnO薄膜的主要性質

本文講述了ZnO薄膜的晶體結構、光學性質、電學性質等性質。
化學法制備ZnO薄膜的方法

PECVD法、SSCVD法、MOCVD法、噴霧熱解法(Spray Pyrolysis)、溶膠- 凝膠法是目前主要的一些化學制備ZnO薄膜的方法。
物理法制備ZnO薄膜的方法

物理法制備ZnO薄膜的的主要方法有濺射法(Sputtering)、脈沖激光沉積法(PLD)、分子束外延法(MBE)、原子層外延生長法(ALE)等。
寬禁帶半導體ZnO薄膜的制備工藝

ZnO薄膜的制備方法有多種,大致分為物理法和化學法,可以滿足不同的需求，由于化學穩(wěn)定性好,良好的機電耦合性,工藝簡單,這使得ZnO 薄膜在近年來受到越來越多的重視,成為化合物半導體領域中的一個研究熱點,基于ZnO的器
熱處理和摻雜對TiO2薄膜折射率的影響

隨著熱處理溫度的升高,薄膜折射率也逐漸增大。850℃熱處理后的氧化鈦薄膜折射率最高為2.34。適量摻雜CeO2會提高薄膜的折射率,過量摻雜CeO2反而會降低折射率。
電子束蒸發(fā)法工藝對TiO2薄膜折射率的影響

基片溫度、真空度、沉積速率、其他工藝條件等都對電子束蒸發(fā)法工藝對TiO2薄膜折射率的影響。
有機玻璃蒸發(fā)鍍鋁的實驗結果及鋁膜分析

增加鉻過渡層的樣品, 鋁膜結合的非常牢固, 附著力得到很大的提高。采用電子束蒸發(fā)技術, 在使用合適的工藝參數(shù)下, 可以在有機玻璃表面制備附著力好、耐腐蝕的高反射鋁膜。
有機玻璃基材表面電子束蒸鍍鉻-鋁-二氧化硅薄膜實驗材料與方法

采用電子束蒸鍍的方法, 以有機玻璃為基材, 在其表面蒸鍍鉻過渡層, 再蒸鍍鋁, 最后蒸鍍保護層二氧化硅。
對鋁合金表面鍍CrNx多層膜特性分析

利用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射儀(XRD)、顯微硬度儀和腐蝕測量儀等測試手段分析薄膜的成分、結構、表面形貌、顯微硬度、耐腐蝕性等特性。
2024鋁合金表面鍍CrNx多層膜的實驗過程

在2024 鋁合金上采用了二次浸鋅的預處理方法, 以化學鍍鎳, 電鍍銅作為過渡層的特殊工藝,再利用磁過濾脈沖偏壓電弧離子鍍技術制備了Zn/Ni/Cu/Cr/CrN 多層梯度膜。
濺射氣壓對磁控濺射成膜性能的影響

濺射氣壓( 工作氣壓)是一個很重要的參數(shù), 它對濺射速率, 沉積速率以及薄膜的質量都有很大的影響。實驗得知濺射氣壓超過0.55Pa 后, 結合力和焊接合格率隨著氣壓增大而迅速下降。因此, 認為0.5 Pa 左右的濺射氣壓是比
靶片間距對金屬化成膜速率和薄膜性能的影響

靶片間距也是影響成膜速率的重要因素之一，靶材與基片之間必須保持一定的距離, 過大或過小鍍膜的均勻性和致密性都較差。
濺射功率對金屬化薄膜性能的影響分析

濺射功率對金屬化薄膜性能的影響主要表現(xiàn)在對成膜速率、薄膜形貌、薄膜性能等方面的影響，結合實驗，分別分析了各個影響。
晶振膜厚控制儀應用與展望

膜厚控制儀工作穩(wěn)定,速率和膜厚的控制能達到很高的精度,顯示屏中文顯示,簡單而且直觀。用它控制國產(chǎn)鍍膜機無須國產(chǎn)鍍膜機作很大的改動，甚至可以保留國產(chǎn)鍍膜機原有的人工鍍膜的狀態(tài)，不失為國產(chǎn)鍍膜機的最佳配套選
化學氣相沉積(CVD)的概念與優(yōu)點

化學氣相淀積CVD指把含有構成薄膜元素的氣態(tài)反應劑或液態(tài)反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室，在襯底表面發(fā)生化學反應生成薄膜的過程。