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真空鍍膜

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推薦電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機(jī)污染物來源主要有3個(gè)方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。

電弧離子鍍沉積TiCx薄膜的結(jié)構(gòu)和性能研究

本文采用脈沖偏壓電弧離子鍍技術(shù)改變分離靶弧流獲得不同成分的TiCx薄膜，研究不同碳含量對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)和性能的影響。
7A04鋁合金表面DLC薄膜制備及性能研究

本研究利用RF-PIII&D設(shè)備，在7A04鋁合金表面制備DLC薄膜。為提高膜基結(jié)合力，采用非平衡磁控濺射技術(shù)，在鋁合金表面和DLC薄膜之間沉積一層Si膜，作為過渡層。
納米金剛石的制備及研究進(jìn)展

通過簡要描述納米金剛石薄膜的生長機(jī)制，介紹了兩種制備納米金剛石薄膜的方法及其優(yōu)勢，討論了兩種方法在納米金剛石的質(zhì)量、尺寸及沉積速率等方面取得的最新研究進(jìn)展，并對(duì)今后的主要研究方向進(jìn)行了展望。
波長漸變膜的設(shè)計(jì)與制備

本文介紹了波長漸變膜的設(shè)計(jì)方法和光學(xué)性能，使用自制的掩模板和掩模板切換裝置，在磁控濺射機(jī)內(nèi)鍍制波長漸變膜的工藝過程并分析結(jié)果。
用鋁絲摻雜濺射ZnO薄膜的光電性能研究

本文采用射頻磁控濺射法制備了ZnO薄膜，并且通過將鋁絲置于ZnO靶材表面來共同濺射制備了AZO薄膜，分析了它們的結(jié)構(gòu)和光電特性。
半球形基底鍍膜膜厚均勻性理論分析

對(duì)特殊的非平面基片-半球表面上鍍制薄膜的膜厚均勻性進(jìn)行了理論分析研究。該研究工作對(duì)半球面這種復(fù)雜的非平面基片上鍍膜膜厚均勻性研究工作具有理論指導(dǎo)意義，同時(shí)對(duì)改善此種表面上的膜厚分布研究提供了相關(guān)的理論
超高阻隔膜制備工藝現(xiàn)狀及市場發(fā)展

回顧了普通包裝膜到超高阻隔封裝膜的研究發(fā)展歷程，系統(tǒng)闡述用于柔性電子元件封裝的超高阻隔無機(jī)氧化物薄膜的制備工藝現(xiàn)狀，并對(duì)其市場的發(fā)展前景進(jìn)行了深入的調(diào)查研究。
應(yīng)用于工具鍍膜的磁場輔助離子鍍弧源及其放電特性分析

本文比較分析了不同磁場輔助受控弧源的靶結(jié)構(gòu)、磁場位形及產(chǎn)生機(jī)制，討論了不同位形的磁場對(duì)弧斑運(yùn)動(dòng)、放電的影響以及由此導(dǎo)致的鍍膜工藝的優(yōu)缺點(diǎn)等，對(duì)磁場控制的電弧離子鍍弧源的發(fā)展進(jìn)行了展望。
脈沖偏壓對(duì)多弧離子鍍TiAlN薄膜的成分和結(jié)構(gòu)的影響研究

本文在實(shí)驗(yàn)中固定直流偏壓為100V，疊加不同的脈沖偏壓和不同占空比下成功制備了TiAlN薄膜，并對(duì)薄膜的微觀結(jié)構(gòu)、原子組成和力學(xué)性能進(jìn)行討論和總結(jié)。
基體結(jié)構(gòu)對(duì)Al/BN涂層性能的影響

本文針對(duì)在役的Al/BN涂層顯微組織、結(jié)合強(qiáng)度、涂層硬度等內(nèi)容進(jìn)行研究，為涂層質(zhì)量可靠性評(píng)價(jià)提供借鑒，以提高等離子噴涂Al/BN涂層的質(zhì)量穩(wěn)定性及質(zhì)量控制水平。
基底預(yù)處理對(duì)非晶碳/Mo2C復(fù)合薄膜場發(fā)射性能的影響

本文采用機(jī)械研磨方法對(duì)Al2O3陶瓷襯底進(jìn)行預(yù)處理，采用直流磁控濺射技術(shù)在基底上濺射Mo過渡層，隨后在微波等離子體增強(qiáng)化學(xué)沉積(MPECVD)系統(tǒng)中沉積非晶碳薄膜，研究了不同粒度金剛砂研磨基底對(duì)所制備樣品的場發(fā)射性
非晶硅鍺薄膜電池研究進(jìn)展及發(fā)展方向

本文主要通過介紹不同研究機(jī)構(gòu)的主要研究方向闡述非晶硅鍺電池的研究歷史、研究問題以及發(fā)展方向。
背電極ZnO：Al薄膜與n-a-Si：H膜接觸特性的研究

本文采用PECVD法在ZnO：Al薄膜上沉積了n-a-Si：H薄膜，接著分別用電子束蒸發(fā)和磁控濺射法在n-a-Si：H薄膜上制備ZnO：Al薄膜，并對(duì)ZnO：Al薄膜與n-a-Si：H薄膜的電接觸特性進(jìn)行了研究，從而找到ZnO：Al薄膜的最優(yōu)化條
TiO2薄膜元件阻變機(jī)理的模擬研究

本文從模擬計(jì)算的角度對(duì)TiO2薄膜阻變機(jī)理進(jìn)行研究，這在阻變機(jī)理推導(dǎo)研究中鮮見報(bào)道。通過將計(jì)算模擬結(jié)果分析得出的推斷與本課題組先前實(shí)驗(yàn)研究得出的結(jié)論進(jìn)行比較，可獲得更全面的阻變機(jī)制解釋。
多弧離子鍍與磁控濺射聯(lián)用鍍制TiN/SiO2復(fù)合裝飾薄膜的研究

本文結(jié)合多弧離子鍍和磁控濺射兩種鍍膜方法的優(yōu)點(diǎn)，制備了TiN/SiO2復(fù)合薄膜。通過掃描電鏡可以觀察到，制備的復(fù)合膜比單純的氮化鈦薄膜更加致密和光滑，基本消除了大顆粒的影響。
La摻雜對(duì)SnO2薄膜光學(xué)特性影響的第一性原理及實(shí)驗(yàn)研究

目前為止，對(duì)于第一性原理的研究大多數(shù)都集中在F、Sb、In、Fe上，對(duì)稀土摻雜SnO2報(bào)道較少，本文結(jié)合理論與實(shí)驗(yàn)對(duì)La 摻雜SnO2薄膜的光學(xué)性能進(jìn)行分析，并為以后研究提供相應(yīng)的參考依據(jù)。
YSZ/STO/YSZ-STO超晶格電解質(zhì)薄膜低溫電學(xué)特性

采用脈沖激光沉積法，在單側(cè)拋光的STO基底上制備YSZ/STO/YSZ超晶格薄膜。利用X射線衍射、掃描電鏡和射頻阻抗/材料分析儀對(duì)多層膜的物相結(jié)構(gòu)、表面形貌以及電學(xué)特性等進(jìn)行表征。
等離子體增強(qiáng)原子層沉積Al2O3鈍化多晶黑硅的研究

本文使用金屬輔助化學(xué)法制備多晶黑硅，再經(jīng)低濃度堿溶液處理優(yōu)化黑硅結(jié)構(gòu)，最后用PEALD沉積了不同厚度的Al2O3鈍化層。采用掃描電鏡、分光光度計(jì)和少子壽命測試儀對(duì)黑硅的表面形貌、減反射特性和少子壽命變化進(jìn)行了分
ZnO納米棒/CNTs復(fù)合陰極的制備及其場發(fā)射性能的研究

本文采用低成本和簡單的方式來實(shí)現(xiàn)ZnO納米棒和CNTs的復(fù)合，通過水熱法生成ZnO納米棒陣列，利用簡單的噴涂方法來獲得ZnO納米棒/CNTs復(fù)合陰極，該復(fù)合陰極有極優(yōu)的場發(fā)射性能。
調(diào)制周期對(duì)Ti-TiN-Zr-ZrN多層膜性能的影響

采用真空陰極電弧沉積技術(shù)，在TC11 鈦合金表面沉積同等厚度的三種不同調(diào)制周期Ti-TiN-Zr-ZrN 軟硬交替多層膜。