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等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)技術(shù)基礎

等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子化學活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。

晶界“背脊”形貌對熱障涂層熱沖擊壽命的影響

本文的主要研究工作是采用化學氣相沉積和電子束物理氣相沉積技術(shù)在鎳基單晶高溫合金上分別制備鉑改性鋁化物涂層和陶瓷熱障涂層，開展粘結(jié)層表面晶界“背脊”形貌對熱障涂層體系熱沖擊壽命的影響行為和可能的TBCs 剝

中間層類型對類金剛石涂層鍵合結(jié)構(gòu)和性能的影響行為

PVD鍍膜能夠鍍出的膜層的顏色種類

PVD鍍膜目前能夠做出的膜層的顏色有深金黃色，淺金黃色，咖啡色，古銅色，灰色，黑色，灰黑色，七彩色等。

化學氣相沉積/原子層沉積銅前驅(qū)體的研究進展

本文介紹了利用化學氣相沉積技術(shù)與原子層沉積技術(shù)沉積銅薄膜工藝的研究；概述了應用所述前驅(qū)體進行銅薄膜沉積的參數(shù)及所制備銅薄膜的導電性能。

靶基距和錠料蒸發(fā)速率對沉積薄板厚度均勻性的影響

本工作根據(jù)真空蒸鍍中小面源具有方向性的發(fā)射特性，即余弦角度分布規(guī)律，同時結(jié)合EBPVD自身發(fā)射特點，建立了一個多錠料蒸發(fā)理論模型，討論了靶基距和不同坩堝蒸發(fā)速率對厚度均勻性和有效蒸發(fā)效率的影響，并對實際沉

不同頻率濺射沉積的新型耐磨二硼化釩涂層的結(jié)構(gòu)及性能

本文的主要目的就是選擇幾種不同頻率的電源制備VB2涂層，測試及比較不同頻率下制備出的新型VB2涂層的結(jié)構(gòu)和性能。

CVD直接生長技術(shù)高效碳納米管鎳氫電池的研究

采用熱化學氣相沉積技術(shù)(CVD)，在泡沫鎳表面直接生長多壁碳納米管(MWNT)，以此MWNT-泡沫鎳基底為電池集流體，并使用該基底、通過干粉末滾壓工藝制備鎳氫電池電極，對電池進行了一系列的充放電性能測試。

MPCVD法合成單晶金剛石的研究及應用進展

本文簡介近年來MPCVD技術(shù)合成單晶金剛石的研究進展，評述了在該研究領域處于領先地位的英美日等國有關(guān)公司及研究機構(gòu)所取得的成果，并對單晶金剛石的應用前景作出了展望。

基于數(shù)字模擬的PECVD沉積氮化硅薄膜的工藝參數(shù)決策方法研究

本文提出了基于數(shù)字模擬的PECVD沉積氮化硅薄膜的工藝參數(shù)決策方法，綜合了單因素試驗和數(shù)字模擬的正交試驗設計兩種優(yōu)化方法。

大批量微細刀具HFCVD涂層制備的溫度場仿真與試驗分析

本文以HFCVD沉積大批量微細刀具金剛石涂層系統(tǒng)為研究對象，利用有限容積法的仿真方法，對影響基體溫度場的多個工藝參數(shù)進行仿真與分析，并提出優(yōu)化設計的方案。

固態(tài)碳源溫度對法CVD生長石墨烯薄膜影響的研究

本文主要探索了固態(tài)源溫度變化對石墨烯生長的影響，并采用固態(tài)源動態(tài)變溫的方法生長了石墨烯，有效提高了所得石墨烯薄膜的覆蓋率。

MPCVD法制備低粒徑納米金剛石薄膜的研究

采用MPCVD法，以Ar/H2/CH4為氣源，探索較高濃度氬氣和氣壓條件下低粒徑納米金剛石的制備工藝，并對生長的納米金剛石膜的晶粒尺寸，薄膜質(zhì)量，殘余應力，表面形貌進行分析。

微波等離子體化學氣相沉積超納米晶金剛石膜研究

超納米晶金剛石(UNCD)在短毫米波特別是太赫茲真空器件輸能窗中具有潛在的應用價值。本文介紹了UNCD膜的制備工藝和性能表征。

MPCVD工藝參數(shù)對石墨烯性能影響的研究

實驗采用MPCVD裝置，以氫氣和甲烷為主要氣源，氮氣和氬氣為輔助氣源在鎳片上生長石墨烯薄膜，并對不同條件下制備樣品進行拉曼光譜儀表征。

微波等離子體化學氣相沉積(MPCVD)法在碳纖維上制備碳納米管

利用微波等離子體化學氣相沉積(MPCVD)法在碳纖維上制備了碳納米管，并在此基礎上系統(tǒng)地研究了微波功率、反應時間、催化劑前驅(qū)體的吸附時間以及吸附濃度對碳納米管生長的影響。

聚碳酸酯表面碳基薄膜的制備及其光學性能研究

本文采用RFPECVD技術(shù)在PC材料表面沉積DLC薄膜，研究DLC薄膜和PC基片系統(tǒng)的摩擦學和光學性能。

正交電磁場離子源及其在PVD 法制備硬質(zhì)涂層中的應用

本文介紹幾種不同類型的正交電磁場離子源，并結(jié)合其在不同體系硬質(zhì)涂層沉積過程中的應用，綜述離子源的結(jié)構(gòu)、工作原理;分析其產(chǎn)生的離子束對硬質(zhì)涂層成分、結(jié)構(gòu)、性能的影響。

CO2對MPCVD制備金剛石膜的影響研究

應用微波等離子體化學氣相沉積(MPCVD)技術(shù)，以CH4/H2/N2為主要氣源，通過添加CO2輔助氣體，并與未添加CO2輔助氣體進行對比，進行了金剛石膜沉積。

MPCVD法制備石墨烯的研究進展

文章首先通過分析比較得出了制備石墨烯的幾種主要方法的優(yōu)缺點，重點強調(diào)了微波等離子體化學氣相沉積(MPCVD)法制備石墨烯的優(yōu)勢。