真空基礎(chǔ)
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不同真空范圍內(nèi)的抽氣時間計算
本文講述了不同真空范圍內(nèi)的抽氣時間計算方法。如大氣壓-低真空領(lǐng)域的抽氣時間計算、中真空領(lǐng)域的抽氣時間計算、高真空-超高真空領(lǐng)域的抽氣時間計算。
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真空技術(shù)中幾個重要的概念
本文講述了真空技術(shù)中幾個重要的概念,如氣體分子的平均自由程、氣體分子的入射頻率、真空中的熱傳導(dǎo)等。認識這些概念將會對理解真空技術(shù)有很大的促進作用。
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我國真空設(shè)備未來發(fā)展環(huán)境分析及需求預(yù)測
高新技術(shù)的發(fā)展及應(yīng)用增進和帶動了真空設(shè)備行業(yè)的發(fā)展和技術(shù)晉級,高新技術(shù)的發(fā)展離不開真空技術(shù)的廣泛應(yīng)用和強有力的技術(shù)支持。
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航天器空間環(huán)境模擬器中的等離子體分布規(guī)律
本文詳細敘述了低軌道空間等離子體的特點,為了準確校準Langmuir探針,對空間模擬裝置內(nèi)等離子體的參數(shù)分布進行了詳細的實驗和數(shù)據(jù)分析,從而在安裝位置上有助于更好地對探針校準。
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大氣壓低溫等離子體射流器件層流特性的模擬研究
本文建立射流器件二維軸對稱模型,分析對等離子體射流傳播影響較大的z軸方向上的摩爾分數(shù)分布,與不同氣體組分湯生放電系數(shù)的差異相結(jié)合分析研究氣體流速、噴口直徑和工作氣體對射流特性的影響。
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空間對接鎖系表面強化及潤滑處理技術(shù)
本研究利用等離子體浸沒離子注入與沉積( PIII&D) 技術(shù)在TC4 合金表面制備DLC 膜,研究不同膜層結(jié)構(gòu)和膜層厚度對改性層的使用性能和壽命的影響。
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HT-7托卡馬克全金屬壁及鋰化條件下輝光放電清洗的研究
本文討論了HT-7 托卡馬克裝置中,全金屬壁以及鋰化條件下的輝光放電清洗。文章首先介紹了聚變裝置中常用的壁處理方法,接著分別介紹了國內(nèi)外輝光放電清洗和鋰化的研究進展,然后闡述了本文研究的內(nèi)容對于未來ITER 金
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帶狀線法測量微波材料的復(fù)介電常數(shù)
精確測量低損耗微波材料的復(fù)介電常數(shù)十分重要。利用帶狀線法測量微波介質(zhì)基板常溫和變溫的復(fù)介電常數(shù),得到了高精度的測試結(jié)果。
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一種提高柵氧化物介電常數(shù)的方法
本文通過對傳統(tǒng)柵氧制備工藝中PNA 單一高溫退火工藝的溫度、氣體氛圍做了優(yōu)化,提供了一種通過提高柵氧化物氮含量來提高其介電常數(shù)的方法。
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30cm口徑離子推力器熱特性模擬分析
為了對30cm口徑LIPS - 300 推力器的熱設(shè)計提出合理建議,利用有限元分析軟件對LIPS - 300 離子推力器進行地面穩(wěn)態(tài)及熱應(yīng)力分析。
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不同面積Kapton材料的放電特性實驗研究
航天器表面介質(zhì)材料在空間等離子環(huán)境下會產(chǎn)生放電現(xiàn)象,放電誘發(fā)的瞬態(tài)脈沖會對航天器在軌安全運行產(chǎn)生嚴重影響。通過對不同面積的125 μm 厚Kapton 溫控材料進行放電實驗,對放電誘發(fā)的瞬態(tài)脈沖進行測量,總結(jié)分析
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鹽水液滴真空蒸發(fā)過程的熱力學(xué)研究
基于質(zhì)量與能量守恒原理、熱力學(xué)理論和相變傳熱傳質(zhì)原理,建立了單個鹽水液滴真空蒸發(fā)過程的數(shù)學(xué)模型,對比理論模擬結(jié)果與實驗數(shù)據(jù),驗證了模型的有效性。
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靜電偏轉(zhuǎn)器高階像差的三維微分代數(shù)計算
本文研究了靜電偏轉(zhuǎn)器高階像差在三維空間的微分代數(shù)計算。利用有限元方法計算了靜電偏轉(zhuǎn)器電場的三維分布,通過三維數(shù)據(jù)擬合方法構(gòu)造電磁場分布的三維局部解析式,將電場量轉(zhuǎn)化為微分代數(shù)擴展數(shù),利用微分代數(shù)方法分
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蒙特卡羅法計算分子流狀態(tài)下真空管道的傳輸幾率
采用蒙特卡羅法對圓形、橢圓和矩形截面管道的分子流傳輸幾率進行了計算,研究了管道縱橫比、內(nèi)壁吸附性以及截面形狀對其的影響,在模擬分子數(shù)足夠的情況下可獲得足夠精度的解。
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射頻等離子體對純鈦表面的氨基化改性
本實驗采用射頻等離子體技術(shù),以N2和NH3混合氣體為氣體源對純鈦表面進行氨基化改性,在純鈦表面引入氨基,提高材料表面的生物活性,并討論氨基化機理。同時研究了處理時間、放置時間和保存方式對改性鈦片親水性的影
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