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真空技術(shù)網(wǎng) - 專業(yè)研究真空、真空技術(shù)及真空泵等真空設(shè)備的真空網(wǎng)。

推薦電容器組合介質(zhì)介電常數(shù)與壓緊系數(shù)關(guān)系分析

本文通過對組合介質(zhì)介電常數(shù)和元件電容量計算公式的分析,得出了不同介質(zhì)結(jié)構(gòu)情況下壓緊系數(shù)變化與組合介電常數(shù)之間,以及元件電容與壓緊系數(shù)之間的關(guān)系,對電容器的設(shè)計起到一定的指導(dǎo)作用。

  • 不同真空范圍內(nèi)的抽氣時間計算

    本文講述了不同真空范圍內(nèi)的抽氣時間計算方法。如大氣壓-低真空領(lǐng)域的抽氣時間計算、中真空領(lǐng)域的抽氣時間計算、高真空-超高真空領(lǐng)域的抽氣時間計算。

  • 真空管道的流導(dǎo)相關(guān)計算

    本文講述了一些典型的真空管道結(jié)構(gòu)的流導(dǎo)計算公式及方法。

  • 真空技術(shù)的典型應(yīng)用

    現(xiàn)代社會每個人都在享受著真空技術(shù)給我們帶來的便利,本文講述了真空技術(shù)在各行各業(yè)的應(yīng)用。

  • 真空技術(shù)中幾個重要的概念

    本文講述了真空技術(shù)中幾個重要的概念,如氣體分子的平均自由程、氣體分子的入射頻率、真空中的熱傳導(dǎo)等。認識這些概念將會對理解真空技術(shù)有很大的促進作用。

  • 真空的發(fā)現(xiàn)和理論基礎(chǔ)

    本文講述了真空的發(fā)現(xiàn)和理論基礎(chǔ),包括馬德堡半球?qū)嶒、玻意耳定律等真空技術(shù)最初的理論基礎(chǔ)。

  • 什么是真空?

    什么是真空?在給定的空間內(nèi)低于一個大氣壓的氣體狀態(tài)稱之為真空狀態(tài)。

  • 我國真空設(shè)備未來發(fā)展環(huán)境分析及需求預(yù)測

    高新技術(shù)的發(fā)展及應(yīng)用增進和帶動了真空設(shè)備行業(yè)的發(fā)展和技術(shù)晉級,高新技術(shù)的發(fā)展離不開真空技術(shù)的廣泛應(yīng)用和強有力的技術(shù)支持。

  • 如何選擇真空泵?真空泵選型注意事項

    選用真空泵時,首先應(yīng)該注意本次選購真空泵的最主要的要求、最注重的性能是什么,在泵滿足這一點后再去考慮其他的一些選型要求。

  • 航天器空間環(huán)境模擬器中的等離子體分布規(guī)律

    本文詳細敘述了低軌道空間等離子體的特點,為了準確校準Langmuir探針,對空間模擬裝置內(nèi)等離子體的參數(shù)分布進行了詳細的實驗和數(shù)據(jù)分析,從而在安裝位置上有助于更好地對探針校準。

  • 大氣壓低溫等離子體射流器件層流特性的模擬研究

    本文建立射流器件二維軸對稱模型,分析對等離子體射流傳播影響較大的z軸方向上的摩爾分數(shù)分布,與不同氣體組分湯生放電系數(shù)的差異相結(jié)合分析研究氣體流速、噴口直徑和工作氣體對射流特性的影響。

  • 空間對接鎖系表面強化及潤滑處理技術(shù)

    本研究利用等離子體浸沒離子注入與沉積( PIII&D) 技術(shù)在TC4 合金表面制備DLC 膜,研究不同膜層結(jié)構(gòu)和膜層厚度對改性層的使用性能和壽命的影響。

  • HT-7托卡馬克全金屬壁及鋰化條件下輝光放電清洗的研究

    本文討論了HT-7 托卡馬克裝置中,全金屬壁以及鋰化條件下的輝光放電清洗。文章首先介紹了聚變裝置中常用的壁處理方法,接著分別介紹了國內(nèi)外輝光放電清洗和鋰化的研究進展,然后闡述了本文研究的內(nèi)容對于未來ITER 金

  • 帶狀線法測量微波材料的復(fù)介電常數(shù)

    精確測量低損耗微波材料的復(fù)介電常數(shù)十分重要。利用帶狀線法測量微波介質(zhì)基板常溫和變溫的復(fù)介電常數(shù),得到了高精度的測試結(jié)果。

  • 一種提高柵氧化物介電常數(shù)的方法

    本文通過對傳統(tǒng)柵氧制備工藝中PNA 單一高溫退火工藝的溫度、氣體氛圍做了優(yōu)化,提供了一種通過提高柵氧化物氮含量來提高其介電常數(shù)的方法。

  • 30cm口徑離子推力器熱特性模擬分析

    為了對30cm口徑LIPS - 300 推力器的熱設(shè)計提出合理建議,利用有限元分析軟件對LIPS - 300 離子推力器進行地面穩(wěn)態(tài)及熱應(yīng)力分析。

  • 不同面積Kapton材料的放電特性實驗研究

    航天器表面介質(zhì)材料在空間等離子環(huán)境下會產(chǎn)生放電現(xiàn)象,放電誘發(fā)的瞬態(tài)脈沖會對航天器在軌安全運行產(chǎn)生嚴重影響。通過對不同面積的125 μm 厚Kapton 溫控材料進行放電實驗,對放電誘發(fā)的瞬態(tài)脈沖進行測量,總結(jié)分析

  • 鹽水液滴真空蒸發(fā)過程的熱力學(xué)研究

    基于質(zhì)量與能量守恒原理、熱力學(xué)理論和相變傳熱傳質(zhì)原理,建立了單個鹽水液滴真空蒸發(fā)過程的數(shù)學(xué)模型,對比理論模擬結(jié)果與實驗數(shù)據(jù),驗證了模型的有效性。

  • 靜電偏轉(zhuǎn)器高階像差的三維微分代數(shù)計算

    本文研究了靜電偏轉(zhuǎn)器高階像差在三維空間的微分代數(shù)計算。利用有限元方法計算了靜電偏轉(zhuǎn)器電場的三維分布,通過三維數(shù)據(jù)擬合方法構(gòu)造電磁場分布的三維局部解析式,將電場量轉(zhuǎn)化為微分代數(shù)擴展數(shù),利用微分代數(shù)方法分

  • 蒙特卡羅法計算分子流狀態(tài)下真空管道的傳輸幾率

    采用蒙特卡羅法對圓形、橢圓和矩形截面管道的分子流傳輸幾率進行了計算,研究了管道縱橫比、內(nèi)壁吸附性以及截面形狀對其的影響,在模擬分子數(shù)足夠的情況下可獲得足夠精度的解。

  • 射頻等離子體對純鈦表面的氨基化改性

    本實驗采用射頻等離子體技術(shù),以N2和NH3混合氣體為氣體源對純鈦表面進行氨基化改性,在純鈦表面引入氨基,提高材料表面的生物活性,并討論氨基化機理。同時研究了處理時間、放置時間和保存方式對改性鈦片親水性的影

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