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H2S氣氛下硫化溫度對(duì)Cu2ZnSnS4薄膜性能影響的研究

本文采用兩步法制備CZTS薄膜。

有機(jī)溶劑對(duì)氧化鉍納米結(jié)構(gòu)形貌和場(chǎng)發(fā)射性能的影響

為了研究有機(jī)溶劑對(duì)化學(xué)合成法中生成的氧化鉍納米材料結(jié)構(gòu)及場(chǎng)發(fā)射性能的影響，反應(yīng)過(guò)程中，分別添加三個(gè)不同劑量的有機(jī)溶劑，獲得三種產(chǎn)物。利用掃描電鏡對(duì)其結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析，并進(jìn)行場(chǎng)發(fā)射性能測(cè)試。

氧化處理TiNi合金薄膜的摩擦性能及其對(duì)滾動(dòng)直線導(dǎo)軌滾道的防護(hù)

本文采用兩種不同氧化工藝實(shí)現(xiàn)TiNi 薄膜的氧化處理。利用球-盤(pán)式摩擦實(shí)驗(yàn)機(jī)考察了干摩擦條件下表面氧化處理后TiNi 薄膜的摩擦學(xué)性能，并鍍制到導(dǎo)軌表面，期望提高導(dǎo)軌的減摩耐磨性能，從而提高其傳動(dòng)和定位精度。

脈沖偏壓對(duì)離子束輔助電弧離子鍍TiN/Cu納米復(fù)合膜結(jié)構(gòu)及硬度的影響

本文采用離子束輔助電弧離子鍍技術(shù)在高速鋼(HSS) 基體上沉積TiN/Cu納米復(fù)合膜，研究基體脈沖偏壓幅值對(duì)TiN/Cu納米復(fù)合膜的成分、結(jié)構(gòu)及硬度的影響。

脈沖電壓對(duì)HPPMS制備CrN薄膜的組織結(jié)構(gòu)與力學(xué)性能的影響

本文采用HPPMS技術(shù)制備CrN硬質(zhì)薄膜，重點(diǎn)研究電源脈沖電壓對(duì)CrN薄膜的結(jié)構(gòu)和性能的影響。

離子能流密度對(duì)AISI304不銹鋼氮化層摩擦性能的影響

采用低溫等離子體氮化技術(shù)，對(duì)AISI304不銹鋼進(jìn)行表面氮化處理，考察了離子能流密度對(duì)不銹鋼氮化層性能的影響。

基體放置狀態(tài)與脈沖偏壓幅值對(duì)大顆粒形貌和分布的影響

本文通過(guò)改變基體上施加的脈沖偏壓幅值、靶基面相對(duì)位置和基體的放置狀態(tài)，來(lái)研究這些參數(shù)對(duì)電弧離子鍍中大顆粒缺陷數(shù)目和分布的影響規(guī)律，為選擇合適的靶基表面相對(duì)位置和脈沖偏壓幅值，減少甚至消除大顆粒引起薄膜

(TiAlNb)N多組元硬質(zhì)反應(yīng)膜研究

采用多弧離子鍍技術(shù)，通過(guò)采用Ti-Al 合金靶及Ti-Nb靶的組合方式，在高速鋼基體上制備了(TiAlNb) N多組元硬質(zhì)反應(yīng)膜。

類金剛石碳膜高溫摩擦學(xué)性能的研究進(jìn)展

本文綜述了近年來(lái)國(guó)內(nèi)外高溫工況條件下類金剛石碳膜的摩擦學(xué)性能研究成果，總結(jié)了類金剛石碳膜在高溫環(huán)境下的摩擦學(xué)性能及其影響因素規(guī)律，闡述了類金剛石碳膜高溫摩擦學(xué)行為的分析方法，提出了類金剛石碳膜高溫摩擦

Si3N4球/DLC膜摩擦副在真空環(huán)境下的摩擦學(xué)行為研究

本文研究了真空環(huán)境下DLC膜與Si3N4摩擦副的摩擦學(xué)行為，分析探討DLC膜摩擦副在真空環(huán)境下的摩擦磨損機(jī)理，為DLC膜在真空環(huán)境下的應(yīng)用提供理論依據(jù)。

(Ti，Al，Si，C)N硬質(zhì)膜層高溫性能研究

采用等離子增強(qiáng)電弧離子鍍聯(lián)合磁控濺射工藝制備了含35%(原子比)C的(Ti，Al，Si，C)N硬質(zhì)膜層，并利用掃描電鏡、X射線衍射儀及高溫摩擦磨損試驗(yàn)儀表征了膜層在不同退火條件下的性能及組織演變行為。

銀基透明導(dǎo)電薄膜制備及其性能研究

本文采用磁控濺射沉積，通過(guò)優(yōu)化Ag層與上下介質(zhì)層膜厚，獲得了ZnO/Ag/ZnO、AZO/Ag/AZO 體系的三層透明導(dǎo)電薄膜，并且在Ag與氧化物界面插入超薄LiF或Al來(lái)探究該體系多層膜的熱穩(wěn)定性。

航天薄膜材料力學(xué)性能評(píng)價(jià)及誤差分析研究

通過(guò)理論分析與試驗(yàn)研究，從薄膜材料、樣品加工、拉伸試驗(yàn)及模擬試驗(yàn)四個(gè)角度，對(duì)空間環(huán)境下薄膜材料力學(xué)性能退化試驗(yàn)的誤差來(lái)源及影響進(jìn)行了研究。

電場(chǎng)儀球形傳感器涂覆方案研究

電場(chǎng)儀涂層的均勻性是影響其電場(chǎng)測(cè)量精度的重要因素，手工噴涂方案難以滿足涂層的均勻性需求，且工藝不穩(wěn)定。為解決電場(chǎng)儀球形傳感器涂層噴涂的均勻性問(wèn)題，提出了一種新的噴涂方案。

不同氫濃度對(duì)超納米金剛石膜結(jié)構(gòu)及耐磨性影響的研究

MPCVD金剛石膜沉積技術(shù)及金剛石膜材料在微波電真空器件中的應(yīng)用

本文將首先簡(jiǎn)述MPCVD方法沉積金剛石膜的原理，進(jìn)而介紹國(guó)內(nèi)外MPCVD金剛石膜沉積技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀以及MPCVD方法在制備高品質(zhì)金剛石膜材料方面的應(yīng)用情況。

離子鍍膜技術(shù)的進(jìn)展

本文介紹了離子鍍膜技術(shù)的意義、各種鍍膜技術(shù)的原理、特點(diǎn)、發(fā)展和應(yīng)用范圍。

TiO2薄膜光電導(dǎo)與光催化性能關(guān)系的研究

采用溶膠-凝膠法在石英基板上旋涂制備不同系列的TiO2薄膜樣品(摻F濃度、保溫時(shí)間、薄膜厚度、晶型) ，并用X射線衍射等分析測(cè)試手段對(duì)樣品的結(jié)構(gòu)等性能進(jìn)行表征。

Sol-gel法制備Co-Mn共摻雜ZnO粉體和紅外發(fā)射率的研究

采用溶膠-凝膠法制備不同Co-Mn共摻雜濃度的ZnO前驅(qū)體，并在不同溫度下對(duì)其進(jìn)行煅燒。

無(wú)硫化過(guò)程磁控濺射制備Cu2ZnSnS4薄膜及其結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)研究

使用Cu2ZnSnS4(CZTS) 靶材，通過(guò)射頻磁控濺射方法鍍膜，不經(jīng)后期硫化處理，在鈉鈣玻璃襯底上沉積了鋅黃錫礦結(jié)構(gòu)的CZTS薄膜材料。